熱電阻溫度計(jì)選型

熱電阻(RTD)溫度計(jì)，適用于衛(wèi)生和無(wú)菌應(yīng)用場(chǎng)合

公制型儀表，采用通用技術(shù)

適用于所有標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用場(chǎng)合，帶固定不可更換鎧裝 芯子

熱電阻溫度計(jì)選型

應(yīng)用

• 專門(mén)設(shè)計(jì)用于食品&飲料和生命科學(xué)行業(yè)中的衛(wèi)生和無(wú)菌應(yīng)用場(chǎng)合

• 測(cè)量范圍為–50…+200 °C (–58…+392 °F)

• Z大壓力為 50 bar (725 psi)

• Z高防護(hù)等為 IP69K

• 可以在非防爆區(qū)域中使用

測(cè)量原理

1。

通常，有兩種不同類(lèi)型的鉑熱電阻：

• 繞線式(WW)：由兩根細(xì)的高純度鉑絲在陶瓷載體內(nèi)繞制而成，并通過(guò)陶瓷保護(hù)層在載體頂部 和底部對(duì)鉑絲進(jìn)行密封處理。此類(lèi)熱電阻具有高可重現(xiàn)性，過(guò)程溫度高達(dá) 600 °C (1112 °F)時(shí)， 仍能保證良好的阻抗-溫度關(guān)系的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。繞線式(WW)熱電阻的體積較大，抗振性較差。

• 薄膜式鉑電阻溫度計(jì)(TF)：在真空狀態(tài)下，將厚度約為 1 μm 的超高純度鉑層汽化固定在陶瓷基 板上，光刻制作而成。由此構(gòu)成的鉑導(dǎo)體形成測(cè)量阻抗。附加覆蓋層和鈍化層可靠保護(hù)薄鉑 層，防止高溫條件下出現(xiàn)氧化和污染。

薄膜式(TF)熱電阻與繞線式(WW)熱電阻相比，突出優(yōu)點(diǎn)為較小的體積和較好的抗振性。高溫條件 下，薄膜式(TF)熱電阻的阻抗-溫度關(guān)系偏差較小，符合 IEC 60751 標(biāo)準(zhǔn)。因此，薄膜式(TF)熱電阻的溫度測(cè)量誤差可達(dá)溫度等 A，符合 IEC 60751 標(biāo)準(zhǔn)(Z高溫度約為 300 °C (572 °F))。所以， 薄膜式(TF)熱電阻通常僅在溫度低于 400 °C (752 °F)的條件下測(cè)量。

Endress+Hauser 提供用于溫度測(cè)量點(diǎn)的整套優(yōu)化部件，包括將測(cè)量點(diǎn)無(wú)縫集成至整個(gè)工廠中的所 有所需部件。包括：

• 電源單元/隔離柵

• 顯示單元

• 過(guò)電壓保護(hù)單元